基本信息:
- 专利标题： 半導体基板、半導体基板の製造方法、および電子デバイス
- 专利标题（英）：Semiconductor substrate, manufacturing method therefor, and electronic device
- 专利标题（中）：半导体衬底，其制造方法和电子器件
- 申请号：PCT/JP2010/002449 申请日：2010-04-02
- 公开(公告)号：WO2010116700A1 公开(公告)日：2010-10-14
- 发明人： 市川 磨
- 申请人： 住友化学株式会社 , 市川 磨
- 申请人地址： 〒1048260 東京都中央区新川二丁目27番1号 Tokyo JP
- 专利权人： 住友化学株式会社,市川 磨
- 当前专利权人： 住友化学株式会社,市川 磨
- 当前专利权人地址： 〒1048260 東京都中央区新川二丁目２７番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 龍華国際特許業務法人
- 优先权： JP2009-093442 20090407
- 主分类号： H01L21/8222
- IPC分类号： H01L21/8222 ; H01L21/331 ; H01L21/338 ; H01L21/8232 ; H01L21/8248 ; H01L27/06 ; H01L29/737 ; H01L29/778 ; H01L29/812
摘要：
単一半導体基板上にＨＢＴおよびＦＥＴのような複数異なる種類のデバイスを形成するに適した化合物半導体基板を提供する。第１半導体と、第１半導体上に形成された、電子捕獲中心または正孔捕獲中心を有するキャリアトラップ層と、キャリアトラップ層上にエピタキシャル成長され、自由電子または自由正孔が移動するチャネルとして機能する第２半導体と、第２半導体上にエピタキシャル成長したＮ型半導体／Ｐ型半導体／Ｎ型半導体で表される積層体、または前記第２半導体上にエピタキシャル成長したＰ型半導体／Ｎ型半導体／Ｐ型半導体で表される積層体を含む第３半導体とを備える半導体基板を提供する。
摘要（中）：
公开了适合于在单个半导体衬底上形成诸如HBT和FET的多种不同类型的器件的化合物半导体衬底。 所述半导体衬底设置有：第一半导体; 形成在第一半导体的顶部并具有电子捕获中心或空穴俘获中心的载流子陷阱层; 外延生长在载流子阱层顶部并用作自由电子或自由孔移动的通道的第二半导体; 以及第三半导体，其包括在第二半导体的顶部外延生长的N-P-N或P-N-P层状半导体结构。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |
| --------------H01L21/782 | ....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成 |
| ----------------H01L21/822 | .....衬底是采用硅工艺的半导体的 |
| ------------------H01L21/8222 | ......双极工艺 |