基本信息:
- 专利标题： MICROSPHERES AND THEIR METHODS OF PREPARATION
- 专利标题（中）：MICROSPHERES及其制备方法
- 申请号：PCT/US2010/027293 申请日：2010-03-15
- 公开(公告)号：WO2010107688A1 公开(公告)日：2010-09-23
- 发明人： BOSE, Anima, B. , YANG, Junbing
- 申请人： OHIO UNIVERSITY , UCHICAGO ARGONNE LLC , BOSE, Anima, B. , YANG, Junbing
- 申请人地址： 20 East Circle Drive Suite 190 Athens, OH 45701 US
- 专利权人： OHIO UNIVERSITY,UCHICAGO ARGONNE LLC,BOSE, Anima, B.,YANG, Junbing
- 当前专利权人： OHIO UNIVERSITY,UCHICAGO ARGONNE LLC,BOSE, Anima, B.,YANG, Junbing
- 当前专利权人地址： 20 East Circle Drive Suite 190 Athens, OH 45701 US
- 代理机构： LUNN, Gregory, J. et al.
- 优先权： US12/720,102 20100309; US61/161,580 20090319
- 主分类号： H01B1/04
- IPC分类号： H01B1/04
摘要：
Carbon microspheres are doped with boron to enhance the electrical and physical properties of the microspheres. The boron-doped carbon microspheres are formed by a CVD process in which a catalyst, carbon source and boron source are evaporated, heated and deposited onto an inert substrate.
摘要（中）：
碳微球掺杂硼以增强微球的电学和物理性能。 硼掺杂碳微球通过CVD工艺形成，其中催化剂，碳源和硼源被蒸发，加热并沉积到惰性衬底上。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01B | 电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择 |
| ------H01B1/00 | 按导电材料特性区分的导体或导电物体；用作导体的材料选择 |
| --------H01B1/04 | .主要由碳硅化合物、碳或硅组成的 |