基本信息:
- 专利标题： ION SOURCE CLEANING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS
- 专利标题（中）：半导体加工系统中的离子源清洁
- 申请号：PCT/US2009/053520 申请日：2009-08-12
- 公开(公告)号：WO2010093380A1 公开(公告)日：2010-08-19
- 发明人： SWEENEY, Joseph, D. , YEDAVE, Sharad, N. , BYL, Oleg , KAIM, Robert , ELDRIDGE, David , FENG, Lin , BISHOP, Steven, E. , OLANDER, W., Karl , TANG, Ying
- 申请人： ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. , SWEENEY, Joseph, D. , YEDAVE, Sharad, N. , BYL, Oleg , KAIM, Robert , ELDRIDGE, David , FENG, Lin , BISHOP, Steven, E. , OLANDER, W., Karl , TANG, Ying
- 申请人地址： 7 Commerce Drive Danbury, CT 06810-4169 US
- 专利权人： ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.,SWEENEY, Joseph, D.,YEDAVE, Sharad, N.,BYL, Oleg,KAIM, Robert,ELDRIDGE, David,FENG, Lin,BISHOP, Steven, E.,OLANDER, W., Karl,TANG, Ying
- 当前专利权人： ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.,SWEENEY, Joseph, D.,YEDAVE, Sharad, N.,BYL, Oleg,KAIM, Robert,ELDRIDGE, David,FENG, Lin,BISHOP, Steven, E.,OLANDER, W., Karl,TANG, Ying
- 当前专利权人地址： 7 Commerce Drive Danbury, CT 06810-4169 US
- 代理机构： GROLZ, Edward, W.
- 优先权： USPCT/US2009/033754 20090211
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265
摘要：
Cleaning of an ion implantation system or components thereof, utilizing temperature and/or a reactive cleaning reagent enabling growth/etching of the cathode in an indirectly heated cathode for an ion implantation system by monitoring the cathode bias power and taking corrective action depending upon compared values to etch or regrow the cathode.
摘要（中）：
使用温度和/或反应性清洗剂清洁离子注入系统或其组件，使得能够通过监测阴极偏置功率并根据比较值采取校正动作来增加/蚀刻用于离子注入系统的间接加热的阴极中的阴极 以蚀刻或再生阴极。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |