发明申请
WO2010022064A1 DEFECT-FREE GROUP III - NITRIDE NANOSTRUCTURES AND DEVICES USING PULSED AND NON-PULSED GROWTH TECHNIQUES
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： DEFECT-FREE GROUP III - NITRIDE NANOSTRUCTURES AND DEVICES USING PULSED AND NON-PULSED GROWTH TECHNIQUES
- 专利标题（中）：无缺陷III组 - 使用脉冲和非脉冲生长技术的氮化物纳米结构和器件
- 申请号：PCT/US2009/054181 申请日：2009-08-18
- 公开(公告)号：WO2010022064A1 公开(公告)日：2010-02-25
- 发明人： VARANGIS, Petros, M. , ZHANG, Lei
- 申请人： NANOCRYSTAL CORPORATION , VARANGIS, Petros, M. , ZHANG, Lei
- 申请人地址： 3032 Cascades Trail SE Rio Rancho, NM 87124 US
- 专利权人： NANOCRYSTAL CORPORATION,VARANGIS, Petros, M.,ZHANG, Lei
- 当前专利权人： NANOCRYSTAL CORPORATION,VARANGIS, Petros, M.,ZHANG, Lei
- 当前专利权人地址： 3032 Cascades Trail SE Rio Rancho, NM 87124 US
- 代理机构： FARN, Michael, W. et al.
- 优先权： US61/090,865 20080821
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
Exemplary embodiments provide semiconductor devices including high-quality (i e, defect free) Group III - Nitride nanostructures and uniform Group III - Nitride nanostructure arrays as well as their scalable processes for manufacturing, where the position, orientation, cross-sectional features, length and the crystallinity of each nanostructure can be precisely controlled A pulsed growth mode can be used to fabricate the disclosed Group III - Nitride nanostructures and/or nanostructure arrays providing a uniform length of about 0.01 - 20 micrometers (11 m) with constant cross-sectional features including an exemplary diameter of about 10 nanometers (nm) - 500 micrometers (11 m) Furthermore, core-shell nanostructure/MQW active structures can be formed by a core-shell growth on the non-polar sidewalls of each nanostructure and can be configured in nanoscale photoelectronic devices such as nanostructure LEDs and/or nanostructure lasers to provide tremendously-high efficiencies
摘要（中）：
示例性实施例提供了包括高质量（即，无缺陷）III族氮化物纳米结构和均匀的III族氮化物纳米结构阵列的半导体器件及其可制造的可扩展工艺，其中位置，取向，横截面特征，长度和 可以精确地控制每个纳米结构的结晶度。脉冲生长模式可用于制造所公开的III-氮化物纳米结构和/或纳米结构阵列，其提供具有恒定横截面特征的约0.01-20微米（11m）的均匀长度 包括约10纳米（nm） - 500微米（11μm）的示例性直径。此外，核 - 壳纳米结构/ MQW活性结构可以通过在每个纳米结构的非极性侧壁上的核 - 壳生长形成，并且可以被配置 在纳米尺度的光电子器件如纳米结构的LED和/或纳米结构的激光器中，以提供极高的效率
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |