基本信息:
- 专利标题： METHOD FOR DETECTION OF OVERSIZED SUB-RESOLUTION ASSIST FEATURES
- 专利标题（中）：用于检测超分辨率分析辅助特征的方法
- 申请号：PCT/US2009047357 申请日：2009-06-15
- 公开(公告)号：WO2010005700A3 公开(公告)日：2010-03-04
- 发明人： HESS CARL E , XIONG YALIN
- 申请人： KLA TENCOR CORP , HESS CARL E , XIONG YALIN
- 专利权人： KLA TENCOR CORP,HESS CARL E,XIONG YALIN
- 当前专利权人： KLA TENCOR CORP,HESS CARL E,XIONG YALIN
- 优先权： US6171708 2008-06-16
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66 ; H01L21/027
摘要：
Disclosed are methods and apparatus for inspecting a sub-resolution assist features (SRAF) on a reticle. A test flux measurement for a boundary area that encompasses a width and a length portion of a test SRAF is determined, and at least one reference flux measurement for one or more boundary areas of one or more reference SRAF's is determined. The test flux measurement is compared with the reference flux measurements. The comparison is used to then determine whether the test SRAF is undersized or oversized. If the test SRAF is determined to be oversized, it may then be determined whether the test SRAF is defective based on the comparison using a first threshold.
摘要（中）：
公开了用于检查掩模版上的分解度辅助特征（SRAF）的方法和装置。 确定包含测试SRAF的宽度和长度部分的边界区域的测试磁通量测量，并且确定一个或多个参考SRAF的一个或多个边界区域的至少一个参考通量测量。 将测试磁通量测量与参考通量测量值进行比较。 比较用于确定测试SRAF是否尺寸过小或过大。 如果测试SRAF被确定为过大，则可以基于使用第一阈值的比较来确定测试SRAF是否有缺陷。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |