基本信息:
- 专利标题： 半導体装置
- 专利标题（英）：Semiconductor device
- 专利标题（中）：半导体器件
- 申请号：PCT/JP2009/058507 申请日：2009-04-30
- 公开(公告)号：WO2009136591A1 公开(公告)日：2009-11-12
- 发明人： 添野 明高
- 申请人： トヨタ自動車株式会社 , 添野 明高
- 申请人地址： 〒4718571 愛知県豊田市トヨタ町1番地 Aichi JP
- 专利权人： トヨタ自動車株式会社,添野 明高
- 当前专利权人： トヨタ自動車株式会社,添野 明高
- 当前专利权人地址： 〒4718571 愛知県豊田市トヨタ町１番地 Aichi JP
- 代理机构： 伊東 忠彦
- 优先权： JP2008-122296 20080508
- 主分类号： H01L25/07
- IPC分类号： H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01L23/473
摘要：
第１放熱板（１１０）、第１絶縁層（１１２）、第１導電層（１１３）、及び第１半導体素子（１０）をこの順で含む第１積層体と、第２放熱板（１２０）、第２絶縁層（１２２）、第２導電層（１２３）、及び前記第１半導体とは異なる半導体材料で形成される第２半導体素子（２０）をこの順で含む第２積層体と、前記第１導電層及び前記第２導電層を電気的に接続する接続部（１３０）とを備えた半導体装置であって、前記第１積層体と前記第２積層体とは熱的に絶縁されている。
摘要（中）：
一种具有第一层状体的半导体装置，其特征在于，具有第一散热板（110），第一绝缘层（112），第一导电层（113）和第一半导体元件（10） ; 第二层状体，以所述顺序包括第二散热板（120），第二绝缘层（122），第二导电层（123）和由半导体材料构成的第二半导体元件（20） 不同于第一半导体的材料; 以及用于将所述第一导电层和所述第二导电层电连接的连接部（130），其中，所述第一层叠体和所述第二层叠体进行绝热。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |
| ------------H01L25/07 | ...包含在H01L29/00组类型的器件 |