基本信息:
- 专利标题： A HARDWARE SET FOR GROWTH OF HIGH K AND CAPPING MATERIAL FILMS
- 专利标题（中）：一种用于高K和CAPPING材料膜生长的硬件组
- 申请号：PCT/US2009040276 申请日：2009-04-10
- 公开(公告)号：WO2009131857A3 公开(公告)日：2009-12-23
- 发明人： KHER SHREYAS S
- 申请人： APPLIED MATERIALS INC , KHER SHREYAS S
- 专利权人： APPLIED MATERIALS INC,KHER SHREYAS S
- 当前专利权人： APPLIED MATERIALS INC,KHER SHREYAS S
- 优先权： US10718308 2008-04-22
- 主分类号： H01L21/205
- IPC分类号： H01L21/205 ; H01L21/31 ; H01L21/336
摘要：
The present invention generally includes a method and an apparatus for depositing both a high k layer and a capping layer within the same processing chamber by coupling gas precursors, liquid precursors, and solid precursors to the same processing chamber. By coupling gas precursors, liquid precursors, and solid precursors to the same processing chamber, a high k dielectric layer, a capping layer for a PMOS section, and a different capping layer for a NMOS may be deposited within the same processing chamber. The capping layer prevents the metal containing electrode from reacting with the high k dielectric layer. Thus, the threshold voltage for the PMOS and NMOS may be substantially identical.
摘要（中）：
本发明通常包括通过将气体前体，液体前体和固体前体耦合到相同的处理室来在同一处理室内沉积高k层和覆盖层的方法和装置。 通过将气体前体，液体前体和固体前体偶联到相同的处理室，高k电介质层，PMOS部分的覆盖层和用于NMOS的不同覆盖层可以沉积在相同的处理室内。 封盖层防止含金属电极与高k电介质层反应。 因此，PMOS和NMOS的阈值电压可以是基本相同的。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/205 | .....应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积 |