基本信息:
- 专利标题： 基材上にバリア兼シード層が形成された電子部材
- 专利标题（英）：Electronic member wherein barrier-seed layer is formed on base
- 专利标题（中）：电子元件在基座上形成障碍物层
- 申请号：PCT/JP2009/052916 申请日：2009-02-19
- 公开(公告)号：WO2009116346A1 公开(公告)日：2009-09-24
- 发明人： 関口 淳之輔 , 伊森 徹
- 申请人： 日鉱金属株式会社 , 関口 淳之輔 , 伊森 徹
- 申请人地址： 〒1050001 東京都港区虎ノ門二丁目10番1号 Tokyo JP
- 专利权人： 日鉱金属株式会社,関口 淳之輔,伊森 徹
- 当前专利权人： 日鉱金属株式会社,関口 淳之輔,伊森 徹
- 当前专利权人地址： 〒1050001 東京都港区虎ノ門二丁目１０番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 酒井 正己
- 优先权： JP2008-070855 20080319
- 主分类号： H01L21/3205
- IPC分类号： H01L21/3205 ; C23C14/14 ; C25D7/12 ; H01L21/285 ; H01L21/288 ; H01L23/52
摘要：
本発明は、より簡易な方法によりＵＬＳＩ微細銅配線を形成する技術を提供することを目的とする。 基材上に、ＵＬＳＩ微細銅配線のバリア兼シード層として使用するタングステンと貴金属との合金薄膜が形成された電子部材であって、該合金薄膜がタングステンを６０原子％以上、貴金属を５原子％以上４０原子％以下とする組成である電子部材。前記貴金属としては、白金、金、銀、パラジウムから選ばれる１種または２種以上の金属が好ましい。
摘要（中）：
公开了通过更简单的工艺形成ULSI精细铜线的技术。 具体公开了一种电子部件，其中在基底上形成用作ULSI细铜布线的阻挡种子层的钨和贵金属的合金薄膜。 电子部件的特征在于，合金薄膜具有含有60原子％以上的钨且为贵金属的5原子％以上40原子％以下的成分。 贵金属优选由选自铂，金，银和钯中的一种或多种金属组成。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/3205 | ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层（器件内部的通电装置入H01L23/52）；这些层的后处理 |