发明申请
WO2009104748A1 被露光基板用撥水化剤組成物、レジストパターンの形成方法及び該形成方法により製造した電子デバイス、被露光基板の撥水化処理方法、被露光基板用撥水化剤セット及びそれを用いた被露光基板の撥水化処理方法
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： 被露光基板用撥水化剤組成物、レジストパターンの形成方法及び該形成方法により製造した電子デバイス、被露光基板の撥水化処理方法、被露光基板用撥水化剤セット及びそれを用いた被露光基板の撥水化処理方法
- 专利标题（英）：Water-repellant composition for substrate to be exposed, method of forming resist pattern, electronic device produced by the formation method, method of imparting water repellency to substrate to be exposed, water-repellant set for substrate to be exposed, and method of imparting water repellency with the same to substrate to be exposed
- 专利标题（中）：用于要暴露的基材的水 - 组合物，形成耐蚀图案的方法，通过形成方法生产的电子设备，将待喷涂的基底上的水再循环的方法，用于基底的水 -
- 申请号：PCT/JP2009/053057 申请日：2009-02-20
- 公开(公告)号：WO2009104748A1 公开(公告)日：2009-08-27
- 发明人： 寺井 護 , 萩原 琢也 , 横小路 修 , 武部 洋子
- 申请人： 株式会社ルネサステクノロジ , 旭硝子株式会社 , 石橋 優太 , 石橋 つぐみ , 寺井 護 , 萩原 琢也 , 横小路 修 , 武部 洋子
- 申请人地址： 〒1000004 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 Tokyo JP
- 专利权人： 株式会社ルネサステクノロジ,旭硝子株式会社,石橋 優太,石橋 つぐみ,寺井 護,萩原 琢也,横小路 修,武部 洋子
- 当前专利权人： 株式会社ルネサステクノロジ,旭硝子株式会社,石橋 優太,石橋 つぐみ,寺井 護,萩原 琢也,横小路 修,武部 洋子
- 当前专利权人地址： 〒1000004 東京都千代田区大手町二丁目６番２号 Tokyo JP
- 代理机构： 田中 光雄
- 优先权： JP2008-041716 20080222; JP2008-161541 20080620; JP2009-026327 20090206
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; G03F7/09
摘要：
液浸液による被露光基板裏面の汚染を抑制するとともに、被加工膜とその直上の有機膜との密着性を向上させて膜剥がれを抑制可能で、作業性に優れた被露光基板用撥水化剤組成物、レジストパターンの形成方法及びその形成方法により製造した電子デバイス、被露光基板の撥水化処理方法、被露光基板用撥水化剤セット及びそれを用いた被露光基板の撥水化処理方法を提供する。少なくとも下記一般式（１）で示される有機ケイ素化合物と溶剤とを含む被露光基板用撥水化剤組成物を用いる。 ただしＲ １ は炭素数１４～３０の１価の有機基、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４ はそれぞれ独立に炭素数１～１０の１価の有機基または加水分解性基であり、Ｒ ２ 、Ｒ ３ 、Ｒ ４ の少なくとも１つは加水分解性基である。
摘要（中）：
提供一种用于曝光的基板的防水组合物，其抑制基板的背面被浸没液体污染，可以提高被处理膜与直接覆盖该膜的有机膜之间的粘合，以抑制膜 剥离，并且具有优异的可加工性。 还提供了：形成抗蚀剂图案的方法，通过形成方法制造的电子器件，赋予待暴露的基板的拒水性的方法，待曝光的基板的防水组件，以及 将该组合物的防水性赋予待暴露的基材。 用于曝光的基材的防水组合物包含由以下通式（1）表示的有机硅化合物和溶剂。 在该式中，R 1是C 14-30单价有机基团，并且R 2，R 3和R 4各自独立地为C 1-10单价有机基团或可水解基团，条件是R 2，R 3和R 4中的至少一个为 可水解组。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |