基本信息:
- 专利标题： PHOTORESIST DOUBLE PATTERNING
- 专利标题（中）：摄影师双重图案
- 申请号：PCT/US2008086095 申请日：2008-12-09
- 公开(公告)号：WO2009085598A3 公开(公告)日：2009-09-11
- 发明人： SADJADI S M REZA , ROMANO ANDREW R
- 申请人： LAM RES CORP , SADJADI S M REZA , ROMANO ANDREW R
- 专利权人： LAM RES CORP,SADJADI S M REZA,ROMANO ANDREW R
- 当前专利权人： LAM RES CORP,SADJADI S M REZA,ROMANO ANDREW R
- 优先权： US1640407 2007-12-21
- 主分类号： H01L21/027
- IPC分类号： H01L21/027 ; H01L21/3065
摘要：
A method for etching an etch layer formed on a substrate is provided. A first photoresist (PR) mask with first mask features is provided on the etch layer. A protective coating is provided on the first PR mask by a process including at least one cycle. Each cycle includes (a) a deposition phase for depositing a deposition layer over the surface of the first mask features using a deposition gas, and (b) a profile shaping phase for shaping the profile of the deposition layer using a profile shaping gas. A liquid PR material is applied over the first PR mask having the protective coating. The PR material is patterned into a second mask features, where the first and second mask features form a second PR mask. The etch layer is etched though the second PR mask.
摘要（中）：
提供了蚀刻形成在基板上的蚀刻层的方法。 在蚀刻层上提供具有第一掩模特征的第一光致抗蚀剂（PR）掩模。 通过包括至少一个循环的工艺在第一PR掩模上提供保护涂层。 每个循环包括（a）用于使用沉积气体在第一掩模特征的表面上沉积沉积层的沉积阶段，以及（b）用于使用轮廓成形气体成形沉积层的轮廓的轮廓成形阶段。 在具有保护涂层的第一PR掩模上施加液体PR材料。 PR材料被图案化成第二掩模特征，其中第一和第二掩模特征形成第二PR掩模。 通过第二PR掩模蚀刻蚀刻层。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |