基本信息:
- 专利标题： SEPARATION OF NANOSTRUCTURES
- 专利标题（中）：分离纳米结构
- 申请号：PCT/US2008/012980 申请日：2008-11-21
- 公开(公告)号：WO2009070240A2 公开(公告)日：2009-06-04
- 发明人： STRANO, Michael, S. , KIM, Woo, Jae
- 申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY , STRANO, Michael, S. , KIM, Woo, Jae
- 申请人地址： 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 US
- 专利权人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY,STRANO, Michael, S.,KIM, Woo, Jae
- 当前专利权人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY,STRANO, Michael, S.,KIM, Woo, Jae
- 当前专利权人地址： 77 Massachusetts Avenue Cambridge, MA 02139 US
- 代理机构： OYER, Timothy, J.
- 优先权： US61/004,009 20071121
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
The present invention generally relates to the separation of one or more populations of nanostructures from one or more other populations of nanostructures based upon differences in density. An overall mixture of very similar or identical nanostructures may be exposed to a set of conditions under which one population of the nanostructures is affected differently than the other, allowing separating on the basis of differences in density.
摘要（中）：
本发明一般涉及基于密度差异从纳米结构的一个或多个其它群体分离一个或多个纳米结构群。 非常相似或相同的纳米结构的总体混合物可以暴露于一组条件，在这些条件下，一组纳米结构受到不同的影响，允许基于密度差异进行分离。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |