基本信息:
- 专利标题： 半導体装置の製造方法
- 专利标题（英）：Method for manufacturing semiconductor device
- 专利标题（中）：制造半导体器件的方法
- 申请号：PCT/JP2008/002774 申请日：2008-10-02
- 公开(公告)号：WO2009066409A1 公开(公告)日：2009-05-28
- 发明人： 岡下勝己 , 佐々木雄一朗 , 中本圭一 , 水野文二
- 申请人： パナソニック株式会社 , 岡下勝己 , 佐々木雄一朗 , 中本圭一 , 水野文二
- 申请人地址： 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka JP
- 专利权人： パナソニック株式会社,岡下勝己,佐々木雄一朗,中本圭一,水野文二
- 当前专利权人： パナソニック株式会社,岡下勝己,佐々木雄一朗,中本圭一,水野文二
- 当前专利权人地址： 〒5718501 大阪府門真市大字門真１００６番地 Osaka JP
- 代理机构： 前田弘 et al.
- 优先权： JP2007-302504 20071122
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265
摘要：
基板上にフィン型半導体領域を形成した後、当該基板をチャンバー内に載置し、その後、チャンバー内に着火用ガスを導入し、当該着火用ガスをプラズマ化した後、チャンバー内に不純物を含むプロセスガスを導入し、当該プロセスガスをプラズマ化する。その後、チャンバー内における着火用ガスの残留量の減衰を確認してから、基板にバイアス電圧を印加し、半導体領域に不純物をドーピングする。
摘要（中）：
在基板上形成翅片型半导体区域，将基板放置在室内。 然后，将用于点火的气体引入室中，使气体进入等离子体状态。 将含有杂质的工艺气体引入到室中，并且处理气体进入等离子体状态。 在确认室内点燃气体的剩余量的衰减之后，向衬底施加偏置电压，并且掺杂有杂质的半导体区域。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |