发明申请
WO2009023387A2 COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODIFYING A SURFACE SUITED FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： COMPOSITIONS AND METHODS FOR MODIFYING A SURFACE SUITED FOR SEMICONDUCTOR FABRICATION
- 专利标题（中）：用于修改适用于半导体制造的表面的组合物和方法
- 申请号：PCT/US2008/069396 申请日：2008-07-08
- 公开(公告)号：WO2009023387A2 公开(公告)日：2009-02-19
- 发明人： HARDY, L. Charles , KRANZ, Heather K. , WOOD, Thomas E. , KAISAKI, David A. , GAGLIARDI, John J. , CLARK, John C. , SAVU, Patricia M. , CLARK, Philip G.
- 申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
- 申请人地址： 3M Center Post Office Box 33427 Saint Paul, Minnesota 55133-3427 US
- 专利权人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
- 当前专利权人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
- 当前专利权人地址： 3M Center Post Office Box 33427 Saint Paul, Minnesota 55133-3427 US
- 代理机构： BAKER, James A. et al.
- 优先权： US11/839,329 20070815
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304
摘要：
The disclosure pertains to compositions and methods for modifying or refining the surface of a wafer suited for semiconductor fabrication. The compositions include working liquids useful in modifying a surface of a wafer suited for fabrication of a semiconductor device. In some embodiments, the working liquids are aqueous solutions of initial components substantially free of loose abrasive particles, the components including water, a surfactant, and a pH buffer exhibiting at least one pKa greater than 7. In certain embodiments, the pH buffer includes a basic pH adjusting agent and an acidic complexing agent, and the working liquid exhibits a pH from about 7 to about 12. In further embodiments, the disclosure provides a fixed abrasive article comprising a surfactant suitable for modifying the surface of a wafer, and a method of making the fixed abrasive article. Additional embodiments describe methods that may be used to modify a wafer surface.
摘要（中）：
本公开涉及用于修改或精炼适合半导体制造的晶片表面的组合物和方法。 该组合物包括用于修饰适用于制造半导体器件的晶片表面的工作液体。 在一些实施方案中，工作液体是基本上不含松散磨料颗粒的初始组分的水溶液，所述组分包括水，表面活性剂和显示至少一个大于7的pKa的pH缓冲剂。在某些实施方案中，pH缓冲剂包含 碱性pH调节剂和酸性络合剂，并且工作液体显示约7至约12的pH。在其他实施方案中，本公开提供了包含适用于改性晶片表面的表面活性剂的固定磨料制品，以及方法 制造固定磨料制品。 另外的实施例描述了可用于修改晶片表面的方法。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |