基本信息:
- 专利标题： BEAM ABLATION LITHOGRAPHY
- 专利标题（中）：光束拍摄
- 申请号：PCT/US2007016006 申请日：2007-07-13
- 公开(公告)号：WO2008010959A9 公开(公告)日：2008-04-03
- 发明人： BRNDIC MARIJA , FISCHBEIN MICHAEL D
- 申请人： UNIV PENNSYLVANIA , BRNDIC MARIJA , FISCHBEIN MICHAEL D
- 专利权人： UNIV PENNSYLVANIA,BRNDIC MARIJA,FISCHBEIN MICHAEL D
- 当前专利权人： UNIV PENNSYLVANIA,BRNDIC MARIJA,FISCHBEIN MICHAEL D
- 优先权： US83090406 2006-07-14
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01J37/08
摘要：
Provided are beam ablation lithography methods capable of removing and manipulating material at the nanoscale. Also provided are nanoscale devices, nanogap field effect transistors, nano-wires, nano-crystals and artificial atoms made using the disclosed methods.
摘要（中）：
提供了能够去除和操纵纳米级材料的光束消融光刻方法。 还提供了使用所公开的方法制造的纳米尺度器件，纳米斑点场效应晶体管，纳米线，纳米晶体和人造原子。
公开/授权文献:
- WO2008010959A2 BEAM ABLATION LITHOGRAPHY 公开/授权日：2008-01-24
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |