发明申请
WO2007147020A3 COBALT PRECURSORS USEFUL FOR FORMING COBALT-CONTAINING FILMS ON SUBSTRATES
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： COBALT PRECURSORS USEFUL FOR FORMING COBALT-CONTAINING FILMS ON SUBSTRATES
- 专利标题（中）：用于在基底上形成含钴复合膜的钴前驱物
- 申请号：PCT/US2007071153 申请日：2007-06-13
- 公开(公告)号：WO2007147020A3 公开(公告)日：2008-05-02
- 发明人： CHEN TIANNIU , XU CHONGYING , ROEDER JEFFREY F , BAUM THOMAS H , HENDRIX BRYAN C
- 申请人： ADVANCED TECH MATERIALS , CHEN TIANNIU , XU CHONGYING , ROEDER JEFFREY F , BAUM THOMAS H , HENDRIX BRYAN C
- 专利权人： ADVANCED TECH MATERIALS,CHEN TIANNIU,XU CHONGYING,ROEDER JEFFREY F,BAUM THOMAS H,HENDRIX BRYAN C
- 当前专利权人： ADVANCED TECH MATERIALS,CHEN TIANNIU,XU CHONGYING,ROEDER JEFFREY F,BAUM THOMAS H,HENDRIX BRYAN C
- 优先权： US81396806 2006-06-15
- 主分类号： C23C16/00
- IPC分类号： C23C16/00 ; C23C16/02
摘要：
Cobalt precursors for forming metallic cobalt thin films in the manufacture of semiconductor devices, and methods of depositing the cobalt precursors on substrates, e.g., using chemical vapor deposition or atomic layer deposition processes. Packaged cobalt precursor compositions, and microelectronic device manufacturing systems are also described.
摘要（中）：
用于在制造半导体器件中形成金属钴薄膜的钴前体，以及在基底上沉积钴前体的方法，例如使用化学气相沉积或原子层沉积工艺。 还描述了包装的钴前体组合物和微电子器件制造系统。