基本信息:
- 专利标题： NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
- 专利标题（中）：非易失性存储器件
- 申请号：PCT/IB2007/051417 申请日：2007-04-19
- 公开(公告)号：WO2007122567A1 公开(公告)日：2007-11-01
- 发明人： AKIL, Nader , AGARWAL, Prabhat , VAN SCHAIJK, Robertus, T., F.
- 申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. , AKIL, Nader , AGARWAL, Prabhat , VAN SCHAIJK, Robertus, T., F.
- 申请人地址： Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven NL
- 专利权人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.,AKIL, Nader,AGARWAL, Prabhat,VAN SCHAIJK, Robertus, T., F.
- 当前专利权人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.,AKIL, Nader,AGARWAL, Prabhat,VAN SCHAIJK, Robertus, T., F.
- 当前专利权人地址： Groenewoudseweg 1 NL-5621 BA Eindhoven NL
- 代理机构： PENNINGS, Johannes, F., M.
- 优先权： EP06113147.0 20060426
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/336 ; H01L29/792 ; H01L29/423
摘要：
A finFET-based non- volatile memory device on a semiconductor substrate includes source and drain regions, a fin body, a charge trapping stack and a gate. The fin body extends between the source and the drain region as a connection. The charge trapping stack covers a portion of the fin body and the gate covers the charge trapping stack at the location of the fin body. The fin body has a corner- free shape for at least 3/4th of the circumference of the fin body which lacks distinct crystal faces and transition zones in between the crystal faces.
摘要（中）：
半导体衬底上的基于finFET的非易失性存储器件包括源区和漏区，翅片体，电荷俘获堆和栅极。 翅片体作为连接件在源极和漏极区域之间延伸。 电荷捕获堆叠覆盖鳍体的一部分，并且栅极在翅片体的位置处覆盖电荷捕获堆叠。 翅片体具有无角形的形状，其至少在翅片体的圆周的3/4处，其在晶面之间缺少明显的晶面和过渡区。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |