基本信息:
- 专利标题： VERTICAL PROFILE FIXING
- 专利标题（中）：垂直轮廓固定
- 申请号：PCT/US2006038299 申请日：2006-09-29
- 公开(公告)号：WO2007041423A1 公开(公告)日：2007-04-12
- 发明人： SADJADI S M REZA , CIRIGLIANO PETER , KIM JI SOO , HUANG ZHISONG , HUDSON ERIC A
- 申请人： LAM RES CORP , SADJADI S M REZA , CIRIGLIANO PETER , KIM JI SOO , HUANG ZHISONG , HUDSON ERIC A
- 专利权人： LAM RES CORP,SADJADI S M REZA,CIRIGLIANO PETER,KIM JI SOO,HUANG ZHISONG,HUDSON ERIC A
- 当前专利权人： LAM RES CORP,SADJADI S M REZA,CIRIGLIANO PETER,KIM JI SOO,HUANG ZHISONG,HUDSON ERIC A
- 优先权： US24487005 2005-10-05
- 主分类号： H01L21/311
- IPC分类号： H01L21/311 ; G03F7/40 ; H01L21/027
摘要：
A method for etching features in an etch layer is provided. A patterned photoresist mask is formed over the etch layer with photoresist features with sidewalls wherein the sidewalls of the photoresist features have irregular profiles along depths of the photoresist features. The irregular profiles along the depths of the photoresist features of the sidewalls of the photoresist features are corrected comprising at least one cycle, where each cycle comprises a sidewall deposition phase and a profile shaping phase. Feature is etched into the etch layer through the photoresist features. The mask is removed.
摘要（中）：
提供了一种用于蚀刻蚀刻层中的特征的方法。 在具有侧壁的光致抗蚀剂特征的蚀刻层上形成图案化的光致抗蚀剂掩模，其中光致抗蚀剂特征的侧壁沿光致抗蚀剂特征的深度具有不规则的轮廓。 沿光致抗蚀剂特征的侧壁的光致抗蚀剂特征的深度的不规则轮廓被校正包括至少一个循环，其中每个循环包括侧壁沉积阶段和轮廓成形阶段。 通过光致抗蚀剂特征将特征蚀刻到蚀刻层中。 去除面具。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/3105 | ......后处理 |
| --------------------H01L21/311 | .......绝缘层的刻蚀 |