基本信息:
- 专利标题： SPUTTERING DEPOSITION DEVICE
- 专利标题（中）：溅射沉积装置
- 申请号：PCT/KR2006/003759 申请日：2006-09-21
- 公开(公告)号：WO2007035050A1 公开(公告)日：2007-03-29
- 发明人： HWANG, Chang-Hun , KIM, Yong-Ki , WON, You-Tae
- 申请人： DOOSAN DND CO., LTD. , HWANG, Chang-Hun , KIM, Yong-Ki , WON, You-Tae
- 申请人地址： 397-2 Moknae-dong, Danwon-gu, Ansan City, Kyunggi-do 425-100 KR
- 专利权人： DOOSAN DND CO., LTD.,HWANG, Chang-Hun,KIM, Yong-Ki,WON, You-Tae
- 当前专利权人： DOOSAN DND CO., LTD.,HWANG, Chang-Hun,KIM, Yong-Ki,WON, You-Tae
- 当前专利权人地址： 397-2 Moknae-dong, Danwon-gu, Ansan City, Kyunggi-do 425-100 KR
- 代理机构： KIM, Inhan et al.
- 优先权： KR10-2005-0088494 20050923
- 主分类号： H01L21/203
- IPC分类号： H01L21/203
摘要：
Disclosed is a sputtering deposition device for depositing a thin film on a substrate. The sputtering deposition device comprises a substrate fixing part configured to fix a substrate; a target mounting member configured to mount a target and form an opening part on a front surface or a part of the top thereof; and a blocking shield provided on the top of the target mounting member. The present invention can minimize ion damage and heat damage of an organic thin film by blocking particles having strong energy and scanning the substrate in a horizontal direction.
摘要（中）：
公开了一种用于在基板上沉积薄膜的溅射沉积设备。 溅射沉积设备包括：基板固定部分，被构造为固定基板; 目标安装构件，所述目标安装构件构造成安装靶并且在其顶部的前表面或其一部分上形成开口部分; 以及设置在靶安装构件的顶部上的阻挡屏蔽件。 本发明可以通过阻挡具有强能量的粒子并沿水平方向扫描衬底来使有机薄膜的离子损伤和热损伤最小化。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |
| ----------------H01L21/203 | .....应用物理沉积的，例如真空沉积，溅射 |