基本信息:
- 专利标题： PIXEL PERFROMANCE IMPROVEMENT BY USE OF A FIELD-SHIELD
- 专利标题（中）：使用场景的像素性能改进
- 申请号：PCT/IB2006/052136 申请日：2006-06-27
- 公开(公告)号：WO2007004130A2 公开(公告)日：2007-01-11
- 发明人： HUITEMA, Edzer , GELINCK, Gerwin
- 申请人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V. , U.S. PHILIPS CORPORATION , HUITEMA, Edzer , GELINCK, Gerwin
- 申请人地址： Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven NL
- 专利权人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V.,U.S. PHILIPS CORPORATION,HUITEMA, Edzer,GELINCK, Gerwin
- 当前专利权人： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V.,U.S. PHILIPS CORPORATION,HUITEMA, Edzer,GELINCK, Gerwin
- 当前专利权人地址： Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven NL
- 代理机构： KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS, N.V.
- 优先权： US60/695,665 20050630
摘要：
A pixel cell (100) and method for making the same for an active matrix display includes a pixel pad (110) and a thin film field effect transistor (106) which selectably couples a signal to activate/deactivate the pixel pad. A field shield (112) is formed on an insulating layer (102) and connected to the pixel pad through the insulating layer such that the field shield extends over at least a portion of the pixel pad. The field shield may extend over the thin film transistor and form a second gate (215) used to enhance the performance of the thin film transistor and the pixel cell.
摘要（中）：
像素单元（100）以及用于制作有源矩阵显示器的方法包括可选地耦合信号以激活/去激活像素块的像素块（110）和薄膜场效应晶体管（106）。 场绝缘层（112）形成在绝缘层（102）上，并通过绝缘层与像素焊盘连接，使得屏蔽层延伸至像素焊盘的至少一部分。 场屏蔽可以延伸超过薄膜晶体管并形成用于增强薄膜晶体管和像素单元的性能的第二栅极（215）。