基本信息:
- 专利标题： CRITICAL DIMENSION REDUCTION AND ROUGHNESS CONTROL
- 专利标题（中）：关键尺寸减少和粗糙度控制
- 申请号：PCT/US2006018142 申请日：2006-05-10
- 公开(公告)号：WO2006130319A3 公开(公告)日：2009-04-16
- 发明人： LEE SANGHEON , CHOI DAE-HAN , KIM JISOO , CIRIGLIANO PETER , HUANG ZHISONG , CHARATAN ROBERT , SADJADI S M REZA
- 申请人： LAM RES CORP , LEE SANGHEON , CHOI DAE-HAN , KIM JISOO , CIRIGLIANO PETER , HUANG ZHISONG , CHARATAN ROBERT , SADJADI S M REZA
- 专利权人： LAM RES CORP,LEE SANGHEON,CHOI DAE-HAN,KIM JISOO,CIRIGLIANO PETER,HUANG ZHISONG,CHARATAN ROBERT,SADJADI S M REZA
- 当前专利权人： LAM RES CORP,LEE SANGHEON,CHOI DAE-HAN,KIM JISOO,CIRIGLIANO PETER,HUANG ZHISONG,CHARATAN ROBERT,SADJADI S M REZA
- 优先权： US14250905 2005-05-31
- 主分类号： H01L21/302
- IPC分类号： H01L21/302
摘要：
A method for forming a feature (324) in an etch layer (308, 310) is provided. A photoresist layer (312) is formed over the etch layer (308, 310). The photoresist layer is patterned to form photoresist features with photoresist sidewalls. A control layer (318) is formed over the photoresist layer and bottoms of the photoresist features. A conformal layer (320) is deposited over the sidewalls of the photoresist features and control layer to reduce the critical dimensions (324) of the photoresist features. Openings in the control layer (318) are opened with a control layer breakthrough chemistry. Fedures are etched into the etch layer (308, 310) with an etch chemistry, which is different from the control layer (318) break through chemistry, wherein the control layer (318) is more etch resistant to the etch with the etch chemistry than the conformal layer (320).
摘要（中）：
提供了一种在蚀刻层（308,310）中形成特征（324）的方法。 在蚀刻层（308,310）上形成光致抗蚀剂层（312）。 图案化光致抗蚀剂层以形成具有光致抗蚀剂侧壁的光致抗蚀剂特征。 在光致抗蚀剂层和光致抗蚀剂特征的底部上形成控制层（318）。 在光致抗蚀剂特征和控制层的侧壁上沉积共形层（320），以减小光刻胶特征的临界尺寸（324）。 控制层（318）中的开口以控制层突破性化学物质打开。 用蚀刻化学物质将蚀刻蚀刻到蚀刻层（308,310）中，蚀刻化学物质不同于控制层（318）突破化学，其中控制层（318）对蚀刻化学腐蚀更耐腐蚀， 共形层（320）。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |