基本信息:
- 专利标题： UNDERFILL DISPENSE AT SUBSTRATE APERTURE
- 专利标题（中）：在底层孔径下进行处理
- 申请号：PCT/US2006014631 申请日：2006-04-19
- 公开(公告)号：WO2006113754A3 公开(公告)日：2007-11-08
- 发明人： ODEGARD CHARLES ANTHONY , COWENS MARVIN WAYNE , STIBOREK LEON
- 申请人： TEXAS INSTRUMENTS INC , ODEGARD CHARLES ANTHONY , COWENS MARVIN WAYNE , STIBOREK LEON
- 专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INC,ODEGARD CHARLES ANTHONY,COWENS MARVIN WAYNE,STIBOREK LEON
- 当前专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INC,ODEGARD CHARLES ANTHONY,COWENS MARVIN WAYNE,STIBOREK LEON
- 优先权： US10925905 2005-04-19
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00
摘要：
An IC assembly (10) having a die mounted on a substrate (16) with a gap therebetween, receives underfill material (12) through an aperture (32) provided in the substrate to fill the gap. This provides a favorable flow rate and improved underfilling, with less voiding. Embodiments of the invention are disclosed in which capillary action, a vacuum, or positive pressure, are used to assist the flow of underfill material.
摘要（中）：
具有安装在其间具有间隙的衬底（16）上的管芯的IC组件（10）通过设置在衬底中的孔（32）接收底部填充材料（12）以填充间隙。 这提供了有利的流速和改进的底部填充，孔隙少。 公开了本发明的实施例，其中使用毛细管作用，真空或正压来帮助底部填充材料的流动。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |