基本信息:
- 专利标题： 有機シリコン系膜の形成方法、当該有機シリコン系膜を有する半導体装置及びその製造方法
- 专利标题（英）：Method for forming organosilicon film, semiconductor device having such organosilicon film and method for manufacturing same
- 专利标题（中）：形成有机硅膜的方法，具有这种有机硅膜的半导体器件及其制造方法
- 申请号：PCT/JP2006/302525 申请日：2006-02-14
- 公开(公告)号：WO2006088015A1 公开(公告)日：2006-08-24
- 发明人： 多田 宗弘 , 竹内 常雄 , 林 喜宏
- 申请人： 日本電気株式会社 , 多田 宗弘 , 竹内 常雄 , 林 喜宏
- 申请人地址： 〒1088001 東京都港区芝五丁目7番1号 Tokyo JP
- 专利权人： 日本電気株式会社,多田 宗弘,竹内 常雄,林 喜宏
- 当前专利权人： 日本電気株式会社,多田 宗弘,竹内 常雄,林 喜宏
- 当前专利权人地址： 〒1088001 東京都港区芝五丁目７番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 天野 広
- 优先权： JP2005-043232 20050218
- 主分类号： H01L21/312
- IPC分类号： H01L21/312 ; C07F7/08 ; H01L21/768 ; H01L23/522
摘要：
誘電率が低く、リーク電流が少ない有機シリコン系膜の形成方法を提供することを課題とし、原料ガスとして有機シリコン化合物を用いた化学的気相堆積法により有機シリコン系膜を成膜する際に、有機シリコン化合物として、少なくともケイ素、水素及び炭素を構成元素として含有していると共に、不飽和結合を有する基を１分子中に２つ以上有している有機シリコン化合物を用い、かつ、この有機シリコン化合物を水素化ケイ素ガスとの混合状態で使用する。
摘要（中）：
公开了一种形成具有低介电常数和小的漏电流的有机硅膜的方法。 具体公开了通过使用有机硅化合物作为原料气体的化学气相沉积法形成有机硅膜的方法，其中至少含有硅，氢和碳作为构成元素并且在一个分子中具有两个或更多个基团的有机硅化合物 在与氢化硅气体混合的同时使用不饱和键。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/312 | ......有机层，例如光刻胶 |