基本信息:
- 专利标题： WAFER PLANARIZATION COMPOSITION AND METHOD OF USE
- 专利标题（中）：晶片平面组成和使用方法
- 申请号：PCT/US2005/044135 申请日：2005-12-07
- 公开(公告)号：WO2006071475A2 公开(公告)日：2006-07-06
- 发明人： RUEB, Christopher J. , WEBB, Richard J. , VELAMAKANNI, Bhaskar V.
- 申请人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
- 申请人地址： 3M Center, Post Office Box 33427, Saint Paul, Minnesota 55133-3427 US
- 专利权人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
- 当前专利权人： 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY
- 当前专利权人地址： 3M Center, Post Office Box 33427, Saint Paul, Minnesota 55133-3427 US
- 代理机构： BIESTERVELD, Daniel D., et al.
- 优先权： US11/020,287 20041223
- 主分类号： C09G1/02
- IPC分类号： C09G1/02 ; H01L21/321
摘要：
A wafer polishing solution and method for polishing a wafer comprising an amino acid and calcium ions or barium ions. The wafer polishing solution can be adjusted to control cut rate and selectivity for modifying semiconductor wafers using a fixed abrasive CMP process.
摘要（中）：
一种用于抛光包含氨基酸和钙离子或钡离子的晶片的晶片抛光溶液和方法。 可以调整晶片抛光液以控制使用固定磨料CMP工艺改性半导体晶片的切割速率和选择性。
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C09 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 |
| ----C09G | 虫胶清漆除外的抛光组合物；滑雪屐蜡 |
| ------C09G1/00 | 抛光组合物 |
| --------C09G1/02 | .含有磨料或研磨剂 |