发明申请
WO2006063145A2 A METHOD FOR MANUFACTURING A SILICIDED GATE ELECTRODE USING A BUFFER LAYER
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： A METHOD FOR MANUFACTURING A SILICIDED GATE ELECTRODE USING A BUFFER LAYER
- 专利标题（中）：一种使用缓冲层制造硅化物电极的方法
- 申请号：PCT/US2005/044438 申请日：2005-12-08
- 公开(公告)号：WO2006063145A2 公开(公告)日：2006-06-15
- 发明人： YU, Shaofeng , BU, Haowen , LU, Jiong-ping , HALL, Lindsey
- 申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED , YU, Shaofeng , BU, Haowen , LU, Jiong-ping , HALL, Lindsey
- 申请人地址： P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, Texas 75265-5474 US
- 专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED,YU, Shaofeng,BU, Haowen,LU, Jiong-ping,HALL, Lindsey
- 当前专利权人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED,YU, Shaofeng,BU, Haowen,LU, Jiong-ping,HALL, Lindsey
- 当前专利权人地址： P.O. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, Texas 75265-5474 US
- 代理机构： FRANZ, Warren, L. et al.
- 优先权： US11/007,569 20041208
- 主分类号： H01L21/4763
- IPC分类号： H01L21/4763 ; H01L21/3205
摘要：
The invention provides a method for manufacturing a semiconductor device and a method for manufacturing an integrated circuit. The method for manufacturing the semiconductor device, among other steps, includes providing a capped polysilicon gate electrode (290) over a substrate (210), the capped polysilicon gate electrode (290) including a buffer layer (260) located between a polysilicon gate electrode layer (250) and a protective layer (270). The method further includes forming source/drain regions (710) in the substrate (210) proximate the capped polysilicon gate electrode (290), removing the protective layer (270) and the buffer layer (260), and siliciding the polysilicon gate electrode layer (250) to form a silicided gate electrode.
摘要（中）：
本发明提供一种半导体器件的制造方法和集成电路的制造方法。 制造半导体器件的方法以及其他步骤包括在衬底（210）上提供封盖的多晶硅栅电极（290），封装的多晶硅栅电极（290）包括位于多晶硅栅电极 层（250）和保护层（270）。 该方法还包括在靠近封盖的多晶硅栅极（290）的基板（210）中形成源/漏区（710），去除保护层（270）和缓冲层（260），并且将多晶硅栅电极层 （250），以形成硅化栅电极。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/42 | ....用辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/461 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/4763 | ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理 |