基本信息:
- 专利标题： METHOD AND APPARATUS FOR GROWTH OF MULTI-COMPONENT SINGLE CRYSTALS
- 专利标题（中）：多组分单晶生长的方法和装置
- 申请号：PCT/US2005031044 申请日：2005-09-01
- 公开(公告)号：WO2006028868A3 公开(公告)日：2009-05-28
- 发明人： DUTTA PARTHA
- 申请人： RENSSELAER POLYTECH INST , DUTTA PARTHA
- 专利权人： RENSSELAER POLYTECH INST,DUTTA PARTHA
- 当前专利权人： RENSSELAER POLYTECH INST,DUTTA PARTHA
- 优先权： US60613204 2004-09-01
- 主分类号： C30B15/00
- IPC分类号： C30B15/00 ; C01B21/00 ; C01G30/00 ; C30B11/00 ; C30B15/26 ; C30B25/00
摘要：
A method and apparatus for growth of uniform multi-component single crystals is provided. The single crystal material has at least three elements and has a diameter of at least 50 mm, a dislocation density of less than 100 cm-2 and a radial compositional variation of less than 1%.
摘要（中）：
提供了均匀多组分单晶生长的方法和装置。 单晶材料具有至少三个元素，并且具有至少50mm的直径，小于100cm -2的位错密度和小于1％的径向组成变化。