基本信息:
- 专利标题： ATMOSPHERIC PRESSURE CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
- 专利标题（中）：大气压力化学气相沉积
- 申请号：PCT/US2005027371 申请日：2005-08-02
- 公开(公告)号：WO2006023263A3 公开(公告)日：2009-04-02
- 发明人： JOHNSTON NORMAN W , KORMANYOS KENNETH R , REITER NICHOLAS A
- 申请人： SOLAR FIELDS LLC , JOHNSTON NORMAN W , KORMANYOS KENNETH R , REITER NICHOLAS A
- 专利权人： SOLAR FIELDS LLC,JOHNSTON NORMAN W,KORMANYOS KENNETH R,REITER NICHOLAS A
- 当前专利权人： SOLAR FIELDS LLC,JOHNSTON NORMAN W,KORMANYOS KENNETH R,REITER NICHOLAS A
- 优先权： US60240504 2004-08-18
- 主分类号： H01L21/00
- IPC分类号： H01L21/00 ; H01L21/20
摘要：
A process for coating a substrate at atmospheric pressure comprises the steps of vaporizing a controlled mass of semiconductor material at substantially atmospheric pressure within a heated inert gas stream, to create a fluid mixture having a temperature above the condensation temperature of the semiconductor material, directing the fluid mixture at substantially atmospheric pressure onto the substrate having a temperature below the condensation temperature of the semiconductor material, and depositing a layer of the semiconductor material onto a surface of the substrate.
摘要（中）：
在大气压力下涂覆基材的方法包括以下步骤：在加热的惰性气体流内在基本上大气压下汽化受控质量的半导体材料，以产生具有高于半导体材料的凝结温度的温度的流体混合物， 流体混合物在基本上大气压力下在具有低于半导体材料的冷凝温度的温度的衬底上沉积，并且将半导体材料层沉积到衬底的表面上。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |