基本信息:
- 专利标题： AUXILIARY TRANSISTOR GATE BIAS CONTROL SYSTEM AND METHOD
- 专利标题（中）：辅助晶闸管偏置控制系统及方法
- 申请号：PCT/US2005/024180 申请日：2005-07-11
- 公开(公告)号：WO2006019606A2 公开(公告)日：2006-02-23
- 发明人： VEITSCHEGGER, William, Kerr
- 申请人： POWERWAVE TECHNOLOGIES, INC. , VEITSCHEGGER, William, Kerr
- 申请人地址： 1801 E. St. Andrew Place, Santa Ana, CA 92705 US
- 专利权人： POWERWAVE TECHNOLOGIES, INC.,VEITSCHEGGER, William, Kerr
- 当前专利权人： POWERWAVE TECHNOLOGIES, INC.,VEITSCHEGGER, William, Kerr
- 当前专利权人地址： 1801 E. St. Andrew Place, Santa Ana, CA 92705 US
- 代理机构： HENTY, David, L. et al.
- 优先权： US60/589,709 20040721; US11/151,793 20050614
- 主分类号： H03G3/10
- IPC分类号： H03G3/10
摘要：
A circuit and method for modulating the gate bias voltage of a FET transistor (108) in an RF amplifier is disclosed. This circuit is used to dynamically control the gate bias of the auxiliary transistor (12) in a Doherty amplifier. The gate bias voltage is modulated so that it tracks the input signal amplitude. Dynamically modulating the gate bias of the auxiliary transistor in the Doherty amplifier improves the peak power and linearity, while maintaining good efficiency.
摘要（中）：
公开了用于调制RF放大器中FET晶体管（108）的栅极偏置电压的电路和方法。 该电路用于动态地控制Doherty放大器中的辅助晶体管（12）的栅极偏置。 调制栅极偏置电压，使其跟踪输入信号幅度。 在Doherty放大器中动态调制辅助晶体管的栅极偏置可以提高峰值功率和线性度，同时保持良好的效率。