基本信息:
- 专利标题： METHOD FOR THE PRODUCTION OF AN ELECTRIC COMPONENT AND COMPONENT
- 专利标题（中）：方法带有电气部件和部件
- 申请号：PCT/DE2005001200 申请日：2005-07-06
- 公开(公告)号：WO2006005317A3 公开(公告)日：2006-06-15
- 发明人： BRUNNER SEBASTIAN , FEICHTINGER THOMAS , PUDMICH GUENTER , SCHLICK HORST , SCHMIDT-WINKEL PATRICK
- 申请人： EPCOS AG , BRUNNER SEBASTIAN , FEICHTINGER THOMAS , PUDMICH GUENTER , SCHLICK HORST , SCHMIDT-WINKEL PATRICK
- 专利权人： EPCOS AG,BRUNNER SEBASTIAN,FEICHTINGER THOMAS,PUDMICH GUENTER,SCHLICK HORST,SCHMIDT-WINKEL PATRICK
- 当前专利权人： EPCOS AG,BRUNNER SEBASTIAN,FEICHTINGER THOMAS,PUDMICH GUENTER,SCHLICK HORST,SCHMIDT-WINKEL PATRICK
- 优先权： DE102004032706 2004-07-06
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L21/48 ; H01L23/485 ; H01L23/498 ; H05K3/40
摘要：
The invention relates to a method for the production of an electric component (1). Said method consists of the following steps; A) a ceramic base body (5) which comprises a through-contact (10) and at least one metal surface (20C) which is connected in an electrically conductive manner to the through-contact, is prepared. In step B), one first electrically insulating material is arranged in a layered manner on the surface of the base body and at least over the through-contact, and subsequently in step C) an electrically conductive second material is applied over the through-contact (10). In step D) a soldering contact (30B) is formed by means of hardening, said soldering contact binding, in an electrically conductive manner, the through-contact (10) through the passivation layer (25B) which is formed from a first material by means of sintering.
摘要（中）：
它提出了一种方法，用于经由导电连接的金属化制造（1），其中，在一个方法步骤A中的陶瓷基体）被提供（5）的电组件，其包括通过（10）和至少一个与所述（20℃） ， 在基体的第一，在工艺步骤B的电绝缘材料）在方法步骤C的导电性的第二材料）的表面通过设置在层中的至少在所施加的，并且此后在通孔（10）。 在方法步骤D）中，焊料接触（30B）然后通过中，（通过在钝化层25B），其由所述第一材料通过烧结而形成，通过上述通路孔（10）导电地连接的固化来形成。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |