基本信息:
- 专利标题： 半導体装置及び半導体装置の製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for manufacturing same
- 专利标题（中）：半导体器件及其制造方法
- 申请号：PCT/JP2004/015405 申请日：2004-10-19
- 公开(公告)号：WO2005038931A1 公开(公告)日：2005-04-28
- 发明人： 寺島 浩一 , 竹内 潔 , 山上 滋春 , 若林 整 , 小椋 厚志 , 渡部 宏治 , 辰巳 徹 , 武田 晃一 , 野村 昌弘 , 田中 聖康
- 申请人： 日本電気株式会社 , 寺島 浩一 , 竹内 潔 , 山上 滋春 , 若林 整 , 小椋 厚志 , 渡部 宏治 , 辰巳 徹 , 武田 晃一 , 野村 昌弘 , 田中 聖康
- 申请人地址： 〒1088001 東京都港区芝五丁目7番1号 Tokyo JP
- 专利权人： 日本電気株式会社,寺島 浩一,竹内 潔,山上 滋春,若林 整,小椋 厚志,渡部 宏治,辰巳 徹,武田 晃一,野村 昌弘,田中 聖康
- 当前专利权人： 日本電気株式会社,寺島 浩一,竹内 潔,山上 滋春,若林 整,小椋 厚志,渡部 宏治,辰巳 徹,武田 晃一,野村 昌弘,田中 聖康
- 当前专利权人地址： 〒1088001 東京都港区芝五丁目７番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 宮崎 昭夫
- 优先权： JP2003-359262 200310020; JP2004-294133 20041006
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786
摘要：
ソース／ドレイン領域の少なくともその幅が最も大きい部分では半導体領域の幅よりも大きく、かつソース／ドレイン領域の最上部側から基体側に向かって連続的に幅が大きくなっている傾斜部を有し、該傾斜部表面にシリサイド膜が形成されていることを特徴とする半導体装置とする。
摘要（中）：
半导体器件的特征在于包括源极/漏极区域，其至少在最宽的部分中比半导体区域宽，并且具有从最上侧朝向基极侧的宽度连续增加的倾斜部分，以及形成在 倾斜部分的表面。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |