基本信息:
- 专利标题： 半導体装置及びその製造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and production method therefor
- 专利标题（中）：半导体器件及其生产方法
- 申请号：PCT/JP2004/014243 申请日：2004-09-29
- 公开(公告)号：WO2005036651A1 公开(公告)日：2005-04-21
- 发明人： 竹内 潔 , 寺島 浩一 , 若林 整 , 山上 滋春 , 小椋 厚志 , 田中 聖康 , 野村 昌弘 , 武田 晃一 , 辰巳 徹 , 渡部 宏治
- 申请人： 日本電気株式会社 , 竹内 潔 , 寺島 浩一 , 若林 整 , 山上 滋春 , 小椋 厚志 , 田中 聖康 , 野村 昌弘 , 武田 晃一 , 辰巳 徹 , 渡部 宏治
- 申请人地址： 〒1088001 東京都港区芝五丁目7番1号 Tokyo JP
- 专利权人： 日本電気株式会社,竹内 潔,寺島 浩一,若林 整,山上 滋春,小椋 厚志,田中 聖康,野村 昌弘,武田 晃一,辰巳 徹,渡部 宏治
- 当前专利权人： 日本電気株式会社,竹内 潔,寺島 浩一,若林 整,山上 滋春,小椋 厚志,田中 聖康,野村 昌弘,武田 晃一,辰巳 徹,渡部 宏治
- 当前专利权人地址： 〒1088001 東京都港区芝五丁目７番１号 Tokyo JP
- 代理机构： 宮崎 昭夫
- 优先权： JP2003-351029 200301009; JP2004-271506 20040917
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786
摘要：
基体平面に対して突出した半導体凸部と、この半導体凸部を跨ぐようにその上部から相対する両側面上に延在するゲート電極と、このゲート電極と前記半導体凸部の間に介在するゲート絶縁膜と、前記半導体凸部に設けられたソース／ドレイン領域とを有するＭＩＳ型電界効果トランジスタ、このトランジスタを含む基体上に設けられた層間絶縁膜、及びこの層間絶縁膜に形成された埋め込み導体配線を有し、この埋め込み導体配線は、前記半導体凸部のソース／ドレイン領域と、前記層間絶縁膜下の他の導電部とに接続されていることを特徴とする半導体装置。
摘要（中）：
一种半导体器件，包括具有朝向衬底平坦表面突出的半导体突出单元的MIS型场效应晶体管，从顶部延伸到半导体突出单元的相对的相对侧表面上以便桥接的栅电极， 保持在栅电极和半导体突出单元之间的栅极绝缘膜，以及设置在半导体突起单元的源/漏区，设置在包括该晶体管的基板上的层间绝缘膜，以及形成在层间绝缘膜中的掩埋导体布线 其特征在于，所述掩埋导体布线与所述半导体突起单元中的源极/漏极区域以及所述层间绝缘膜下方的其它导体连接。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |