基本信息:
- 专利标题： 基板処理装置および基板処理方法
- 专利标题（英）：Substrate treating apparatus and method of substrate treatment
- 专利标题（中）：基板处理装置和基板处理方法
- 申请号：PCT/JP2003/015679 申请日：2003-12-08
- 公开(公告)号：WO2004084289A1 公开(公告)日：2004-09-30
- 发明人： 山崎 和良 , 青山 真太郎 , 井下田 真信 , 神力 博
- 申请人： 東京エレクトロン株式会社 , 山崎 和良 , 青山 真太郎 , 井下田 真信 , 神力 博
- 申请人地址： 〒107-8481 東京都 港区 赤坂五丁目3番6号 Tokyo JP
- 专利权人： 東京エレクトロン株式会社,山崎 和良,青山 真太郎,井下田 真信,神力 博
- 当前专利权人： 東京エレクトロン株式会社,山崎 和良,青山 真太郎,井下田 真信,神力 博
- 当前专利权人地址： 〒107-8481 東京都 港区 赤坂五丁目３番６号 Tokyo JP
- 代理机构： 伊東 忠彦
- 优先权： JP2003-072650 20030317
- 主分类号： H01L21/31
- IPC分类号： H01L21/31
摘要：
非常に薄い、膜厚が０．４ｎｍあるいはそれ以下の酸化膜、酸窒化膜を増膜を最小限に抑制して効率よく窒化するため、酸素ラジカル形成機構によって酸素ラジカルを形成し、形成された酸素ラジカルで、シリコン基板を酸化してシリコン基板上に酸化膜を形成し、さらに窒素ラジカル形成機構で窒素ラジカルを形成して、前記酸化膜膜表面を窒化して酸窒化膜を形成する。
摘要（中）：
旨在有效地氮化极薄的氧化膜或氧氮化钛膜，其厚度为0.4nm或更小，同时使膜增加最小化。 特别地，通过氧自由基产生机制产生氧自由基，以便利用所产生的氧自由基氧化硅衬底，从而在硅衬底上形成氧化膜，并且通过氮自由基产生机制产生另外的氮自由基，从而氮化物 氧化膜的表面，从而形成氧氮化物膜。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/31 | .....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择 |