基本信息:
- 专利标题： HALBLEITERCHIP MIT SCHUTZSCHICHT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR CHIP COMPRISING A PROTECTIVE LAYER AND A CORRESPONDING PRODUCTION METHOD
- 申请号：PCT/DE2003/001149 申请日：2003-04-08
- 公开(公告)号：WO2003085727A3 公开(公告)日：2003-10-16
- 发明人： BEYER, Volker , FISCHER, Jürgen , HEINEMANN, Erik , MARBACH-FISCHBACH, Ida
- 申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , BEYER, Volker , FISCHER, Jürgen , HEINEMANN, Erik , MARBACH-FISCHBACH, Ida
- 申请人地址： St.-Martin-Strasse 53, 81669 München DE
- 专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AG,BEYER, Volker,FISCHER, Jürgen,HEINEMANN, Erik,MARBACH-FISCHBACH, Ida
- 当前专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES AG,BEYER, Volker,FISCHER, Jürgen,HEINEMANN, Erik,MARBACH-FISCHBACH, Ida
- 当前专利权人地址： St.-Martin-Strasse 53, 81669 München DE
- 代理机构： EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
- 优先权： DE102 20020408
- 主分类号： H01L23/31
- IPC分类号： H01L23/31
摘要：
Zum Schutz gegen mechanische Beanspruchung oder Beschädigung bei der Flip-Chip-Montage von Halbleiterchips und zur elektrischen Isolation ist eine Schutzschicht (7) auf der Rückseite des Halbleiterchips (2) aufgebracht. Diese Schutzschicht kann auch auf den Flanken (8) des Halbleiterchips (2) vorhanden sein. Die Schutzschicht kann vor Beginn der gesamten Assembly-Prozesskette aufgebracht werden oder erst beim Fixieren des Halbleiterchips auf einem Träger (1) upside down.
摘要（英）：
In order to protect against mechanical stress or damage during the flip-chip mounting of semiconductor chips, and to electrically insulate, a protective layer (7) is applied to the rear side of the semiconductor chip (2). This protective layer can also be provided on the flanks (8) of the semiconductor chip (2). The protective layer can be applied before starting the entire assembly process sequence or when the semiconductor is fixed upside down to a support (1).
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/02 | .容器；封接 |
| ----------H01L23/31 | ..按配置特点进行区分的 |