基本信息:
- 专利标题： SILICON CARBIDE BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR WITH OVERGROWN BASE REGION
- 专利标题（中）：具有超过基底区域的碳化硅双极晶体管晶体管
- 申请号：PCT/US2003/004873 申请日：2003-02-21
- 公开(公告)号：WO2003073468A2 公开(公告)日：2003-09-04
- 发明人： SANKIN, Igor , DUFRENE, Janna, B.
- 申请人： SEMISOUTH LABORATORIES, INC.
- 申请人地址： One Research Boulevard, Suite 201B, Starkville, MS 39759 US
- 专利权人： SEMISOUTH LABORATORIES, INC.
- 当前专利权人： SEMISOUTH LABORATORIES, INC.
- 当前专利权人地址： One Research Boulevard, Suite 201B, Starkville, MS 39759 US
- 代理机构： KLEBER, Steven, B.
- 优先权： US10/079,893 20020222
- 主分类号： H01L
- IPC分类号： H01L
摘要：
Silicon carbide bipolar junction transistors having an overgrown base layer are provided. The bipolar junction transistors can be made with a very thin (e.g., 0.3 µm or less) base layer while still possessing adequate peripheral base resistance values. Self aligning manufacturing techniques for making the silicon carbide bipolar junction transistors are also provided. Using these techniques, the spacing between emitter and base contacts on the device can be reduced. The silicon carbide bipolar junction transistors can also be provided with edge termination structures such as guard rings to increase the blocking capabilities of the device.
摘要（中）：
提供具有过度生长的基底层的碳化硅双极结型晶体管。 双极结晶体管可以由非常薄（例如，0.3微米或更小）的基底层制成，同时仍具有足够的周边基极电阻值。 还提供了用于制造碳化硅双极结型晶体管的自对准制造技术。 使用这些技术，可以减少器件上的发射极和基极触点之间的间距。 碳化硅双极结晶体管还可以设置有边缘终端结构，例如保护环，以增加器件的阻塞能力。