基本信息:
- 专利标题： THIN THERMALLY ENHANCED FLIP CHIP IN A LEADED MOLDED PACKAGE
- 专利标题（中）：在引导模制包装中加热薄片切片
- 申请号：PCT/US2002/033903 申请日：2002-10-21
- 公开(公告)号：WO2003036717A1 公开(公告)日：2003-05-01
- 发明人： JOSHI, Rajeev , WU, Chung-Lin
- 申请人： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION , JOSHI, Rajeev , WU, Chung-Lin
- 申请人地址： 82 Running Hill Road, MS 35-4E, South Portland, ME 04106 US
- 专利权人： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION,JOSHI, Rajeev,WU, Chung-Lin
- 当前专利权人： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION,JOSHI, Rajeev,WU, Chung-Lin
- 当前专利权人地址： 82 Running Hill Road, MS 35-4E, South Portland, ME 04106 US
- 代理机构： JEWIK, Patrick
- 优先权： US60/349,260 200101022; US60/352,642 20020129; US10/271,654 20021014
- 主分类号： H01L23/495
- IPC分类号： H01L23/495
摘要：
Embodiments of the invention are directed to semiconductor die packages. One embodiment of the invention is directed to a semiconductor die package including, (a) a semiconductor die including a first surface and a second surface, (b) a source lead structure including protruding region having a major surface, the source lead structure being coupled to the first surface, (c) a gate lead structure being coupled to the first surface, and (d) a molding material around the source lead structure and the semiconductor die, where the molding material exposes the second surface of the semiconductor die and the major surface of the source lead structure.
摘要（中）：
本发明的实施例涉及半导体管芯封装。 本发明的一个实施例涉及一种半导体管芯封装，其包括：（a）包括第一表面和第二表面的半导体管芯，（b）源极引线结构，其包括具有主表面的突出区域，所述源极引线结构被耦合 （c）栅极引线结构，其耦合到所述第一表面，以及（d）围绕所述源极引线结构和所述半导体管芯的模制材料，其中所述模制材料暴露所述半导体管芯的所述第二表面，以及 源极引线结构的主表面。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/495 | ...引线框架的 |