基本信息:
- 专利标题： OPTISCH GEPUMPTER VERTIKAL EMITTIERENDER HALBLEITERLASER
- 专利标题（英）：OPTICALLY PUMPED, VERTICALLY EMITTING SEMICONDUCTOR LASER
- 申请号：PCT/DE2002/003651 申请日：2002-09-26
- 公开(公告)号：WO2003030316A3 公开(公告)日：2003-04-10
- 发明人： SCHMID, Wolfgang
- 申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SCHMID, Wolfgang
- 申请人地址： Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg DE
- 专利权人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH,SCHMID, Wolfgang
- 当前专利权人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH,SCHMID, Wolfgang
- 当前专利权人地址： Wernerwerkstr. 2, 93049 Regensburg DE
- 代理机构： EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
- 优先权： DE101 20010928
- 主分类号： H01S5/18
- IPC分类号： H01S5/18
摘要：
Bei einem optisch gepumpten vertikal emittierenden Halbleiterlaser mit einer hochreflektierenden Reflektorschicht (10), einer auf der Reflektorschicht angeordneten, strahlungsemittierenden aktiven Schichtenfolge (14), bei dem im Betrieb die Reflektorschicht (10) zusammen mit einem externen Spiegel (20) einen Laserresonator bildet, ist innerhalb des Laserresonators (10,20) und in thermischen Kontakt mit der aktiven Schichtenfolge (14) eine für die emittierte Strahlung transparente Wärmesenke (12) angeordnet, die aus einem Material gebildet ist, das eine höhere Wärmeleitfähigkeit als die Materialien der aktiven Schichtenfolge (14) aufweist.
摘要（英）：
The invention relates to an optically pumped, vertically emitting semiconductor laser comprising a highly reflective reflector layer (10) and a succession (14) of active layers, which are arranged on said reflector layer and emit illumination, the reflector layer (10) together with an external mirror (20) forming a laser resonator during operation. According to the invention, a heat sink (12), which is transparent to the emitted illumination, is located inside the laser resonator (10,20) in thermal contact with the succession (14) of active layers. Said heat sink consists of a material that has a higher thermal conductivity than the materials in the succession (14) of active layers.
公开/授权文献:
- WO2003030316A2 OPTISCH GEPUMPTER VERTIKAL EMITTIERENDER HALBLEITERLASER 公开/授权日：2003-04-10