专利号PCT/US0120221 | STRUCTURE AND PROCESS FOR 6F<2> TRENCH CAPACITOR DRAM CELL WITH VERTICAL MOSFET AND 3F BITLINE PITCH

专利标题： STRUCTURE AND PROCESS FOR 6F<2> TRENCH CAPACITOR DRAM CELL WITH VERTICAL MOSFET AND 3F BITLINE PITCH
专利标题（中）：具有垂直MOSFET和3F位线点的6F 2晶体管电容器DRAM单元的结构和工艺
申请号：PCT/US0120221 申请日：2001-06-25
公开(公告)号：WO0201567A3 公开(公告)日：2002-02-25
发明人： MANDELMAN JACK A , DIVAKARUNI RAMACHANDRA , RADENS CARL J , GRUENING ULRIKE
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES CORP , IBM
专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES CORP,IBM
当前专利权人： INFINEON TECHNOLOGIES CORP,IBM
优先权： US60242600 2000-06-23
主分类号： H01L21/8242
IPC分类号： H01L21/8242 ; H01L27/108

H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
--------H01L21/67	.专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
----------H01L21/71	..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造
------------H01L21/78	...把衬底连续地分成多个独立的器件
--------------H01L21/782	....制造多个器件，每一个由单个电路元件组成
----------------H01L21/822	.....衬底是采用硅工艺的半导体的
------------------H01L21/8222	......双极工艺
--------------------H01L21/8234	.......MIS工艺
----------------------H01L21/8239	........存储器结构
------------------------H01L21/8242	.........动态随机存取存储结构（DRAM）

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