发明申请
WO00077844A1 SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR PACKAGE, SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR PACKAGE
- 专利标题（英）：Semiconductor package, semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor package
- 专利标题（中）：半导体封装，半导体器件，电子器件及制造半导体封装的方法
- 申请号：PCT/JP2000/003836 申请日：2000-06-13
- 公开(公告)号：WO00077844A1 公开(公告)日：2000-12-21
- 主分类号： H01L21/56
- IPC分类号： H01L21/56 ; H01L23/31 ; H01L23/485 ; H01L23/525 ; H01L21/60 ; H01L23/12
摘要：
An insulating layer (3) is formed to have an opening (3a) corresponding to an electrode pad (2). A projection (4) of resin is then formed on the insulating layer (3). A resist layer is formed to have openings corresponding to the opening (3a), the projection (4) and the area between them. A Cu-plated layer (6) is formed by electrodeposition using the resist layer as a mask.
摘要（中）：
绝缘层（3）形成为具有对应于电极焊盘（2）的开口（3a）。 然后在绝缘层（3）上形成树脂的突起（4）。 抗蚀剂层形成为具有对应于开口（3a），突起（4）和它们之间的区域的开口。 通过使用抗蚀剂层作为掩模的电沉积形成Cu镀层（6）。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/56 | ....封装，例如密封层、涂层 |