基本信息:
- 专利标题： HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR WITH MULTI-LAYER CONDUCTION REGION
- 专利标题（中）：具有多层导电区域的高压晶体管
- 申请号：PCT/US2000/002343 申请日：2000-01-31
- 公开(公告)号：WO00046859A1 公开(公告)日：2000-08-10
- 主分类号： H01L21/266
- IPC分类号： H01L21/266 ; H01L21/336 ; H01L29/06 ; H01L29/08 ; H01L29/10 ; H01L29/40 ; H01L29/417 ; H01L29/423 ; H01L29/78 ; H01L29/76 ; H01L29/80 ; H01L29/780 ; H01L29/784
摘要：
A high voltage insulated gate field-effect transistor includes an insulated gate field-effect device structure having a source (14) and a drain (19), the drain (19) being formed with an extended well region (17) having one or more buried layers (18) of opposite conduction type sandwiched therein. The one or more buried layers (18) create an associated plurality of parallel JFET conduction channels in the extended portion of the well region. The parallel JFET conduction channels provide the HVFET with a low on-state resistance.
摘要（中）：
高压绝缘栅场效应晶体管包括具有源极（14）和漏极（19）的绝缘栅极场效应器件结构，漏极（19）形成有具有一个或多个 夹在其中的相反导电类型的埋层（18）。 一个或多个掩埋层（18）在阱区域的延伸部分中产生相关联的多个并联JFET导电通道。 并联JFET导通通道为HVFET提供低导通状态电阻。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |
| --------------------H01L21/266 | .......应用掩膜的 |