基本信息:
- 专利标题： METHOD FOR FABRICATING SILICON OXYNITRIDE
- 专利标题（中）：制备硅氧烷的方法
- 申请号：PCT/US1998/016358 申请日：1998-08-05
- 公开(公告)号：WO99011573A1 公开(公告)日：1999-03-11
- 主分类号： C01B21/082
- IPC分类号： C01B21/082 ; C23C16/30 ; C01B15/14 ; B05D3/02 ; C04B33/32 ; C04B35/597
摘要：
A method for making silicon oxynitride comprising providing a vaporous gas stream of a compound selected from the group consisting of silazanes and siloxazanes. An enclosed, heated reaction site is also provided. The vaporous gas stream is delivered to the enclosed, heated reaction site in which the levels of oxygen are strictly controlled to promote the formation of silicon oxynitride particles.
摘要（中）：
一种制造氮氧化硅的方法，其包括提供选自硅氮烷和硅氧烷的化合物的气态气流。 还提供封闭的加热反应部位。 气态气流被输送到封闭的加热反应部位，其中严格控制氧气的含量以促进氮氧化硅颗粒的形成。
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C01 | 无机化学 |
| ----C01B | 非金属元素；其化合物 |
| ------C01B21/00 | 氮；其化合物 |
| --------C01B21/082 | .含氮和非金属的化合物 |