基本信息:
- 专利标题： METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
- 专利标题（中）：制造半导体器件的方法
- 申请号：PCT/JP1997004590 申请日：1997-12-12
- 公开(公告)号：WO1998026450A1 公开(公告)日：1998-06-18
- 发明人： ASAHI KASEI KOGYO KABUSHIKI KAISHA
- 申请人： ASAHI KASEI KOGYO KABUSHIKI KAISHA , KUNO, Toyohiko , KITAMURA, Kenichi , TANAKA, Ken
- 专利权人： ASAHI KASEI KOGYO KABUSHIKI KAISHA,KUNO, Toyohiko,KITAMURA, Kenichi,TANAKA, Ken
- 当前专利权人： ASAHI KASEI KOGYO KABUSHIKI KAISHA,KUNO, Toyohiko,KITAMURA, Kenichi,TANAKA, Ken
- 优先权： JP8/331931 19961212
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768
摘要：
A method of manufacturing a semiconductor device comprising a low temperature sputtering step in which aluminum material (aluminum or an alloy whose main component is aluminum) is sputtered at a temperature lower than 300 DEG C and a high temperature sputtering step in which the aluminum material is sputtered at a temperature higher than 300 DEG C. A wiring made of the aluminum material is so formed that the thickness (A) of a film formed in the low temperature sputtering step is larger than the thickness (B) of a film formed in the high temperature sputtering step and, the deposition speed in the high temperature sputtering step is so determined as not to damage the shape of an alignment precision measuring mark, and to be preferably slower than 200 nm/minute.
摘要（中）：
一种制造半导体器件的方法，其包括低温溅射步骤，其中铝材料（铝或主要成分为铝的合金）在低于300℃的温度下溅射，其中铝材料为 在高于300℃的温度下溅射。由铝材制成的布线被形成为使得在低温溅射步骤中形成的膜的厚度（A）大于在所述低温溅射步骤中形成的膜的厚度（B） 高温溅射步骤，并且确定高温溅射步骤中的沉积速度不损坏对准精度测量标记的形状，并且优选地比200nm /分钟慢。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |