基本信息:
- 专利标题： MICROWAVE ENERGIZED DEPOSITION PROCESS WITH SUBSTRATE TEMPERATURE CONTROL
- 专利标题（中）：具有基板温度控制的微波能量沉积过程
- 申请号：PCT/US1993006025 申请日：1993-06-23
- 公开(公告)号：WO1994000869A1 公开(公告)日：1994-01-06
- 发明人： UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION , GUHA, Subhendu , YANG, Chi, C. , XU, XiXiang
- 申请人： UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION
- 专利权人： UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION
- 当前专利权人： UNITED SOLAR SYSTEMS CORPORATION
- 优先权： US7/907,750 19920629
- 主分类号： H01L21/20
- IPC分类号： H01L21/20
摘要：
Substrate temperatures are maintained above 400 DEG C during the microwave energized glow discharge deposition of Group IV semiconductor materials. The substrate temperature range provides for the preparation of materials having improved electrical properties.
摘要（中）：
在第IV组半导体材料的微波激发辉光放电沉积期间，衬底温度保持在400℃以上。 衬底温度范围提供具有改善的电性能的材料的制备。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/20 | ....半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长 |