基本信息:
- 专利标题： Semiconductor light-emitting element
- 专利标题（中）：半导体发光元件
- 申请号：US11140524 申请日：2005-05-27
- 公开(公告)号：USRE40485E1 公开(公告)日：2008-09-09
- 发明人： Yuji Hori , Tomohiko Shibata , Mitsuhiro Tanaka , Osamu Oda
- 申请人： Yuji Hori , Tomohiko Shibata , Mitsuhiro Tanaka , Osamu Oda
- 申请人地址： JP Nagoya
- 专利权人： NGK Insulators, Ltd.
- 当前专利权人： NGK Insulators, Ltd.
- 当前专利权人地址： JP Nagoya
- 代理机构： Burr & Brown
- 优先权： JP2000-367941 20001204; JP2001-013432 20010122; JP2001-087738 20010326; JP2001-106576 20010405; JP2001-322926 20011022
- 主分类号： H01L27/15
- IPC分类号： H01L27/15 ; H01L21/00
摘要：
In a semiconductor light-emitting element, an underlayer is made of AlN layer, and a first cladding layer is made of an n-AlGaN layer. A light-emitting layer is composed of a base layer made of i-GaN and plural island-shaped single crystal portions made of i-AlGaInN isolated in the base layer. Then, at least one rare earth metal element is incorporated into the base layer and/or the island-shaped single crystal portions.
摘要（中）：
在半导体发光元件中，底层由AlN层构成，第一包层由n-AlGaN层构成。 发光层由由i-GaN制成的基底层和在基底层中分离的由i-AlGaInN构成的多个岛状单晶部分构成。 然后，在基底层和/或岛状单晶部分中并入至少一种稀土金属元素。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/15 | .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件 |