基本信息:
- 专利标题： LINER-FREE CONDUCTIVE STRUCTURES
- 申请号：US17876313 申请日：2022-07-28
- 公开(公告)号：US20220367662A1 公开(公告)日：2022-11-17
- 发明人： Shuen-Shin Liang , Chun-I Tsai , Chih-Wei Chang , Chun-Hsien Huang , Hung-Yi Huang , Keng-Chu Lin , Ken-Yu Chang , Sung-Li Wang , Chia-Hung Chu , Hsu-Kai Chang
- 申请人： Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd.
- 申请人地址： TW Hsinchu
- 专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd.
- 当前专利权人： Taiwan Semiconductor Manufacturing, Co., Ltd.
- 当前专利权人地址： TW Hsinchu
- 主分类号： H01L29/45
- IPC分类号： H01L29/45 ; H01L23/535 ; H01L21/768
摘要：
The present disclosure describes a method for forming liner-free or barrier-free conductive structures. The method includes forming a liner-free conductive structure on a cobalt conductive structure disposed on a substrate, depositing a cobalt layer on the liner-free conductive structure and exposing the liner-free conductive structure to a heat treatment. The method further includes removing the cobalt layer from the liner-free conductive structure.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/45 | ...欧姆电极 |