基本信息:
- 专利标题： WIRING SUBSTRATE
- 申请号：US16449878 申请日：2019-06-24
- 公开(公告)号：US20200013708A1 公开(公告)日：2020-01-09
- 发明人： Yoko NAKABAYASHI
- 申请人： SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.
- 优先权： JP2018-127004 20180703
- 主分类号： H01L23/498
- IPC分类号： H01L23/498 ; H01L23/15 ; H01L23/00
摘要：
A wiring substrate includes: a substrate; an oxide film including an oxide of one or both of Ti and Zr, the oxide film being formed on a surface of the substrate; an alloy film including an alloy of one or any combination of Ni, Co, and W with Cu, the alloy film being formed on the oxide film; and a Cu layer formed on the alloy film.
公开/授权文献:
- US10991645B2 Wiring substrate 公开/授权日：2021-04-27
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/482 | ..由不可拆卸地施加到半导体本体上的内引线组成的 |
| ------------H01L23/498 | ...引线位于绝缘衬底上的 |