基本信息:
- 专利标题： SCHOTTKY BARRIER DIODE
- 申请号：US15916813 申请日：2018-03-09
- 公开(公告)号：US20180269335A1 公开(公告)日：2018-09-20
- 发明人： Kazuya HASEGAWA , Tohru Oka
- 申请人： TOYODA GOSEI CO., LTD.
- 优先权： JP2017-050674 20170316; JP2018-036342 20180301
- 主分类号： H01L29/872
- IPC分类号： H01L29/872 ; H01L29/66 ; H01L29/47 ; H01L21/04 ; H01L29/20
摘要：
A Schottky barrier diode comprises a semiconductor layer configured to include a surface and a plurality of recesses that are recessed relative to the surface; and a Schottky electrode arranged to form a Schottky contact with the surface. When the semiconductor layer is viewed from a surface side thereof, the surface is arranged continuously, and distances on the surface between adjacent recesses are substantially identical. This configuration suppresses a photoresist from being left in any unintended portion.
公开/授权文献:
- US10276731B2 Schottky barrier diode 公开/授权日：2019-04-30
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/86 | ..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的 |
| ------------H01L29/861 | ...二极管 |
| --------------H01L29/872 | ....肖特基二极管 |