基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES
- 申请号：US15661121 申请日：2017-07-27
- 公开(公告)号：US20180158826A1 公开(公告)日：2018-06-07
- 发明人： Min Hee CHO , Satoru YAMADA , Junsoo KIM , Honglae PARK , Wonsok LEE , Namho JEON
- 申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
- 优先权： KR10-2016-0163764 20161202
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L29/20 ; H01L29/161
摘要：
A semiconductor memory device includes a substrate having an active region, word lines extending across the active region, a bit line on the active region between the word lines, a bit line node contact between the bit line and the active region, and a storage node contact on an end portion of the active region, wherein one or more of the bit line node contact or the storage node contact include silicon germanium.
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/108 | .....动态随机存取存储结构的 |