基本信息:
- 专利标题： Wet Etching Method and Etching Solution
- 申请号：US15573302 申请日：2016-06-22
- 公开(公告)号：US20180138053A1 公开(公告)日：2018-05-17
- 发明人： Akifumi YAO , Kunihiro YAMAUCHI , Masaki FUJIWARA , Tatsuo MIYAZAKI
- 申请人： Central Glass Company, Limited
- 优先权： JP2015-145487 20150723
- 国际申请： PCT/JP2016/068456 WO 20160622
- 主分类号： H01L21/3213
- IPC分类号： H01L21/3213 ; C23F1/14 ; H01L21/311 ; H01L21/306
摘要：
Disclosed is a wet etching method for etching a metal-containing film on a substrate with the use of an etching solution, wherein the etching solution contains an organic solvent and a β-diketone having a trifluoromethyl group and a carbonyl group bonded to each other, and wherein the metal-containing film contains a metal element capable of forming a complex with the β-diketone.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/3205 | ......非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层（器件内部的通电装置入H01L23/52）；这些层的后处理 |
| --------------------H01L21/321 | .......后处理 |
| ----------------------H01L21/3213 | ........对该层进行物理的或化学的腐蚀，例如由预沉积的外延层产生一个形成图形的层 |