基本信息:
- 专利标题： SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE
- 申请号：US15487419 申请日：2017-04-13
- 公开(公告)号：US20170221913A1 公开(公告)日：2017-08-03
- 发明人： Chia-Ching Hsu , Ko-Chi Chen , Shen-De Wang
- 申请人： UNITED MICROELECTRONICS CORP.
- 主分类号： H01L27/11529
- IPC分类号： H01L27/11529 ; H01L27/11531
摘要：
A method of fabricating a semiconductor device includes providing a substrate with a memory region and a logic region, forming a recess of the substrate in the memory region, forming a non-volatile gate stack in the recess, and forming a logic gate stack in the logic region after forming the non-volatile gate stack.
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |
| ----------------H01L27/112 | .....只读存储器结构的 |
| ------------------H01L27/115 | ......电动编程只读存储器 |
| --------------------H01L27/11502 | .......具有铁电体存储器电容器的 |
| ----------------------H01L27/11521 | ........以存储器核心区为特征的 |
| ------------------------H01L27/11529 | .........包含单元选择晶体管的存储区的，例如，NAND |