发明申请
US20170040168A1 Methods and Mask Structures for Substantially Defect-Free Epitaxial Growth
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： Methods and Mask Structures for Substantially Defect-Free Epitaxial Growth
- 专利标题（中）：用于基本无缺陷外延生长的方法和掩模结构
- 申请号：US15333995 申请日：2016-10-25
- 公开(公告)号：US20170040168A1 公开(公告)日：2017-02-09
- 发明人： Benjamin Vincent , Voon Yew Thean , Liesbeth Witters
- 申请人： IMEC
- 申请人地址： BE Leuven
- 专利权人： IMEC
- 当前专利权人： IMEC
- 当前专利权人地址： BE Leuven
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; C30B25/04 ; H01L29/78 ; H01L21/762 ; H01L29/66 ; H01L29/06 ; C30B23/04 ; C30B19/12
摘要：
Disclosed are methods and mask structures for epitaxially growing substantially defect-free semiconductor material. In some embodiments, mask structure includes a first level defining a first trench extending through the first level, wherein a bottom of the first trench is defined by a semiconductor substrate, and a second level on top of the first level, wherein the second level defines a plurality of second trenches positioned at a non-zero angle with respect to the first trench.
摘要（中）：
公开了用于外延生长基本上无缺陷的半导体材料的方法和掩模结构。 在一些实施例中，掩模结构包括限定延伸穿过第一层的第一沟槽的第一层，其中第一沟槽的底部由半导体衬底限定，第二层位于第一层的顶部，其中第二层限定 多个相对于第一沟槽非零角度定位的第二沟槽。
公开/授权文献:
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |