基本信息:
- 专利标题： THIN-FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
- 专利标题（中）：薄膜晶体管及其制造方法
- 申请号：US14798744 申请日：2015-07-14
- 公开(公告)号：US20170018654A1 公开(公告)日：2017-01-19
- 发明人： TING-CHANG CHANG , HUA-MAO CHEN , MING-YEN TSAI , MIN-CHEN CHEN
- 申请人： NATIONAL SUN YAT-SEN UNIVERSITY
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L21/477 ; H01L29/66 ; H01L29/24
摘要：
A thin-film transistor and a manufacturing method thereof are characterized in that: the active layer is a group IV-VI compound semiconductor film; the group IV-VI compound is one of geranium sulfide (GeS), germanium selenide (GeSe), germanium telluride (GeTe), tin selenide (SnSe), and tin telluride (SnTe) or a ternary, quaternary, or quinary compound thereof; the active layer is deposited by sputtering; and thermal annealing is performed after the active layer is deposited. The thin-film transistor has high carrier mobility and a high current on/off ratio and therefore meets the needs of high-resolution display development.
摘要（中）：
薄膜晶体管及其制造方法的特征在于：有源层为IV-VI族化合物半导体膜; IV-VI族化合物是天竺硫化物（GeS），硒化锗（GeSe），碲化锗（GeTe），硒化锡（SnSe）和锡碲化物（SnTe）或其三元，四元或四价化合物之一; 通过溅射沉积有源层; 并且在沉积有源层之后进行热退火。 薄膜晶体管具有高载流子迁移率和高电流开/关比，因此满足高分辨率显示器开发的需要。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/762 | ....电荷转移器件 |
| ----------------H01L29/78 | .....由绝缘栅产生场效应的 |
| ------------------H01L29/786 | ......薄膜晶体管 |